ICNS-13
来る2019年7月7日(日)～12日(金)、Hyatt Regency Bellevue にて開催される、「ICNS-13 (13th International Conference on Nitride Semiconductors)」において、下記の商品を出展いたします。是非、NTT-ATのブースにて商品をご覧ください。
開催概要
| 開催期間 | 2019年7月7日(日)～12日(金) |
|---|---|
| 開催地 | Hyatt Regency Bellevue |
| 主催 | Materials Research Society |
| 公式サイト | https://www.mrs.org/icns-13  |
出展品目
窒化物半導体エピタキシャルウェハ
窒化物半導体を用いたパワーデバイスは、これからの低炭素社会を支えるグリーンデバイスとして期待されています。NTT-ATは、窒化物半導体エピタキシャルウエハの製造技術により、省エネルギー化の早期実現に貢献します。
窒化ガリウム（GaN）に代表される窒化物半導体は、現在広く用いられているSiパワーデバイスの限界を超えた高出力、高耐圧、高周波、低損失の動作が可能なため、次世代パワーデバイスとして大きく期待されています。
窒化物半導体を用いたパワーデバイスは、これからの低炭素社会を支えるグリーンデバイスとして期待されています。NTT-ATは、窒化物半導体エピタキシャルウエハの製造技術により、省エネルギー化の早期実現に貢献します。
窒化ガリウム（GaN）に代表される窒化物半導体は、現在広く用いられているSiパワーデバイスの限界を超えた高出力、高耐圧、高周波、低損失の動作が可能なため、次世代パワーデバイスとして大きく期待されています。
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