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ICNS-13

来る2019年7月7日(日)~12日(金)、Hyatt Regency Bellevue にて開催される、「ICNS-13 (13th International Conference on Nitride Semiconductors)」において、下記の商品を出展いたします。是非、NTT-ATのブースにて商品をご覧ください。

開催概要

開催期間 2019年7月7日(日)~12日(金)
開催地 Hyatt Regency Bellevue
主催 Materials Research Society
公式サイト https://www.mrs.org/icns-13

出展品目

 
窒化物半導体エピタキシャルウェハ

窒化物半導体を用いたパワーデバイスは、これからの低炭素社会を支えるグリーンデバイスとして期待されています。NTT-ATは、窒化物半導体エピタキシャルウエハの製造技術により、省エネルギー化の早期実現に貢献します。

窒化ガリウム(GaN)に代表される窒化物半導体は、現在広く用いられているSiパワーデバイスの限界を超えた高出力、高耐圧、高周波、低損失の動作が可能なため、次世代パワーデバイスとして大きく期待されています。

このイベントへのお問い合わせ先

 


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