TWHM 2017
来る2017年8月28日(月)～31日(木)、ホテル京セラ（鹿児島県霧島市）にて開催される、「TWHM 2017(12th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics)」に出展いたします。
弊社では、下記の商品をご紹介いたします。是非、弊社ブースにお越しください。
開催概要
| 開催期間 | 2017年8月28日(月)～31日(木) |
|---|---|
| 開催地 | ホテル京セラ |
| 主催 | TWHM実行委員会 |
| 公式サイト | http://www.rciqe.hokudai.ac.jp/twhm2017/  |
| 入場料 | 有料 |
出展品目
窒化物半導体エピタキシャルウェハ
窒化物半導体を用いたパワーデバイスは、これからの低炭素社会を支えるグリーンデバイスとして期待されています。NTT-ATは、窒化物半導体エピタキシャルウエハの製造技術により、省エネルギー化の早期実現に貢献します。
窒化ガリウム（GaN）に代表される窒化物半導体は、現在広く用いられているSiパワーデバイスの限界を超えた高出力、高耐圧、高周波、低損失の動作が可能なため、次世代パワーデバイスとして大きく期待されています。
窒化物半導体を用いたパワーデバイスは、これからの低炭素社会を支えるグリーンデバイスとして期待されています。NTT-ATは、窒化物半導体エピタキシャルウエハの製造技術により、省エネルギー化の早期実現に貢献します。
窒化ガリウム（GaN）に代表される窒化物半導体は、現在広く用いられているSiパワーデバイスの限界を超えた高出力、高耐圧、高周波、低損失の動作が可能なため、次世代パワーデバイスとして大きく期待されています。
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