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JASIS 2014

来る2014年9月3日(水)~5日(金)、幕張メッセ国際展示場にて開催される「JASIS 2014」に出展いたします。
弊社では、下記の商品をご紹介いたします。是非、NTT-ATのブース(No.5A-302)にお越しください。

開催概要

開催期間 2014年9月3日(水)~5日(金)
開催地 幕張メッセ国際展示場
主催 一般社団法人日本分析機器工業会、一般社団法人 日本科学機器協会
公式サイト http://www.jasis.jp/2014/
入場料 無料

出展概要

出展品目
  • ナノマテリアルのHRTEM観察 透過電子顕微鏡
    高分解能の透過電子顕微鏡(HRTEM)により、ナノカーボン薄膜の断面観察が可能です。
    SiC基板上のグラフェンの断面をTEM観察した事例などを紹介します。
  • ウェハの汚染分析
    ウェハの汚染分布からトータル汚染量評価まで、ニーズに合わせて、最適な方法を提案します。全面、一部分、端部など、ご希望の測定範囲をご相談ください。
  • 高深さ方向分解能 超微量不純物分析サービス
    低エネルギー二次イオン質量分析(SIMS分析)二次イオン質量分析装置を導入し、半導体中の浅い領域のドーパントの分析や薄膜多層膜の高精度分析など、より高感度な深さ方向元素分布の測定が可能になりました。
  • 生体物質測定システム 表面プラズモン共鳴(SPR)測定装置
    SPR測定装置の実機を展示します。
      ・手のひらサイズ!低価格のエントリーモデル『Handy SPR PS-0111
      ・マルチチャネル計測対応の高機能モデル『Smart SPR SS-1001
  • 50nm 面内スケール
    ナノ計測にお使いのAFM、SEM、TEM、その長さは正確ですか?
    NTT-ATでは、世界で初めて、校正された50nmピッチの面内スケールを提供します。
  • ファインピッチ4探針プローブ
    探針間隔が0.1mmの4探針電気抵抗測定プローブです。
    従来プローブに比べ、空間分解能が1ケタ向上!
    サブミリ領域の電気抵抗測定を可能にしました。
    誘電材料、半導体材料などの開発時の簡易評価、生産時のモニタとして活用できます。
    パターニングせずに薄膜材料の抵抗測定が可能です。
  • 電気化学センサチップ作製サービス
    幅広い電極材料(Au、Pt、C、ITOなど)を選択でき、様々な用途にお使いいただける微小電極を作製します。mm、μmレベルの電極パターンに対応できます。
    ご希望の材料で、ご希望の構造のセンサチップを作製。少量の作成にも対応しますので、実験用の電極でお困りのときには、NTT-ATにご相談ください。微細くし形電極を作製して来た経験を活かし、様々なご要望にお応えできます。

このイベントへのお問い合わせ先

 


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