ユビキタスネットワーク時代を支えるキー素材・GaN系エピタキシャルウエハ

　来るべき、いつでもどこでもネットワークに繋がるユビキタスネットワーク時代に必要となる超高速・大容量の無線通信システムを実用化するためには、パワーアンプなど高周波で動作する高性能な電子デバイスが不可欠です。また、電子機器の省エネルギー化・小型化も必須の課題であり、その新しい実現手段として、高温環境下かつ低消費電力での動作が可能な電圧変換素子としてGaN系電子デバイスに注目が集まっています。このため、今後GaN系電子デバイスを製造するときのキー素材であるGaN系エピタキシャルウエハを安定供給できる体制を築くことが強く望まれていました。

オリジナル製造技術に基づく量産体制確立

　このような社会的な状況を視野に入れ、ＮＴＴ研究所が開発したGaN系エピタキシャルウエハの基盤技術を基に、ＮＴＴ-ＡＴでは顧客ニーズに合わせたカスタマイズを行い、2005年から当該ウエハの製造・販売を行ってGaN系電子デバイスの発展に貢献してまいりました。このたび、予測されるさらなる市場拡大に素早く対応できる十分な生産能力を確保することを目的として、三菱化学へ製造を委託することを決定いたしました。三菱化学がこれまで培ってきたMOCVD^*2装置によるLED製造用GaN系エピタキシャルウエハの量産技術とNTT-ATの製造ノウハウを融合させて、電子デバイスへの利用が可能なGaN系エピタキシャルウエハの量産体制を確立したことにより、今後のGaN系高性能電子デバイスの発展を強力にサポートできるようになりました。

下地基板にもGaNを採用し、さらなる高性能化へ

　また両社は、GaN系電子デバイスのさらなる高性能化に貢献するため、三菱化学が白色LED用部材として製造・販売しているGaNを下地基板とする新しいタイプのGaNエピタキシャルウエハを、電子デバイスにも利用するため、必要な研究開発を共同で進めてまいります。